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长期暴露于 835 MHz RF-EMF 会导致小鼠皮质神经元过度活跃、自噬和脱髓鞘。
摘要来源：科学报告 2017 01 20 ;7:41129。 Epub 2017 年 1 月 20 日。PMID：28106136
摘要作者：Ju Hwan Kim、Da-Hyeon Yu、Yang Hoon Huh、Eun Ho Lee、Hyung-Gun Kim、Hak Rim Kim
文章隶属关系：Ju Hwan Kim
摘要：射频电磁场 (RF-EMF) 在全球范围内与移动通信结合使用。公众担心射频电磁场暴露所带来的有害生物后果。这项研究评估了射频电磁场对小鼠大脑皮层神经元的影响，作为手机使用期间颅骨暴露的替代指标。 C57BL/6 小鼠在 12 周内，我们每天暴露在 835 MHz RF-EMF 下，比吸收率 (SAR) 为 4.0 W/kg，每天 5 小时。目的是检查大脑皮层（位于相对外部的大脑区域）中自噬途径的激活。自噬基因的诱导和包括 LC3B-II 和 Beclin1 在内的蛋白质的产生增加，并且在神经元细胞体中观察到自溶酶体的积累。然而，促凋亡因子 Bax 在大脑皮层中下调。重要的是，我们发现射频电磁场暴露会导致髓鞘损伤，并且小鼠表现出多动症样行为。数据表明，自噬可能在射频暴露期间充当大脑皮层神经元细胞体的保护途径。长期 RF-EMF 后神经元细胞体保持结构稳定但皮质神经元发生脱髓鞘的观察结果表明，这可能是神经系统或神经行为障碍的潜在原因。