胎儿和婴儿暴露于磁场和电离辐射效应调节引起的遗传毒性。
摘要来源：PLoS One。 2015；10(11)：e0142259。 Epub 2015 年 11 月 11 日。PMID：26559811
摘要作者：Ion Udroiu、Antonio Antoccia、Caterina Tanzarella、Livio Giuliani、Francesca Pacchierotti、Eugenia Cordelli、Patrizia Eleuteri、Paola Villani、Antonella Sgura
文章隶属关系：Ion Udroiu
摘要：背景：很少有研究调查极低频磁场（ELF-MF）在产前和新生儿发育。生命的这些阶段的特点是细胞增殖和不同的化，这可能使他们对环境压力源敏感。尽管体外证据表明ELF-MF可能会改变电离辐射的影响，但迄今为止尚未对ELF-MF联合X射线的基因毒性作用进行体内研究。
目的和方法：本研究的目的是调查从妊娠中期到断奶期间长期接触 ELF-MF 对体细胞和生殖细胞的影响，以及任何可能的调节ELF-MF 暴露产生的电离辐射引起的损伤。从受孕后 12 天开始，小鼠每天 24 小时暴露在 50 Hz、65μT 磁场中，总共 30 天。另一组在 ELF-MF 暴露前立即接受 1 Gy X 射线照射，其他组仅接受 X 射线照射或假暴露。出生后1至140天多次进行血红细胞微核检查。此外，出生后42天，遗传毒性和细胞毒性作用通过彗星试验和流式细胞术分析评估雄性生殖细胞的ts。
结果：ELF-MF暴露没有致畸作用作用且不影响生存、生长和发育。微核测试表明，ELF-MF 仅在最大暴露时间后才诱导轻微的基因毒性损伤，并且这种效应在暴露结束后的几个月内逐渐消失。 ELF-MF 对电离辐射 (IR) 诱导的红细胞遗传毒性没有影响。不同的是，ELF-MF 似乎可以调节雄性生殖细胞对 X 射线的反应，从而影响增殖/分化过程。这些结果指出了组织特异性和发育对ELF-MF对生命早期影响的重要性，并表明需要进一步研究ELF-MF生物学效应的分子机制。