高频电磁场对 CHO-K1 细胞微核形成的影响。
摘要来源：Mutat Res。 2003 年 11 月 10 日；541(1-2):81-9。 PMID：14568297
摘要作者：Shin Koyama、Takehisa Nakahara、Kanako Wake、Masao Taki、Yasuhito Isozumi、Junji Miyakoshi
文章归属：Shin Koyama
摘要：调查效果通过高频电磁场（HFEMF）的影响，我们使用胞质分裂阻断微核方法评估了中国仓鼠卵巢（CHO）-K1细胞分裂过程中染色体断裂或纺锤体抑制诱导的微核（MN）形成频率。在以下四种条件下测定环形培养板的内孔、中孔和外孔中细胞的 MN 频率：(1) CHO-K1 细胞以平均比吸收率 (SAR) 暴露于 HFEMF 18 小时。输入功率 7.8 W 时分别为 13、39 和 50 W/kg，并与假暴露对照进行比较； (2) 细胞还暴露于 SAR 为 78 和 100 W/kg、输入功率为 13 W 的 HFEMF，并与假暴露对照进行比较； (3)将细胞单独用博来霉素处理，或用博莱霉素处理，然后暴露于SAR为25、78和100 W/kg的HFEMF 18小时，并与博莱霉素处理的阳性对照进行比较。将仅用博来霉素处理的细胞与假暴露对照进行比较； (4)作为高温对照，CHO-K1细胞在39℃下孵育18小时。在研究 (1) 中，暴露于 SAR 高达 50 W/kg 的 HFEMF 的细胞的 MN 频率与假暴露细胞的 MN 频率没有不同。在研究(2)中，分别暴露于100 W/kg和78 W/kg的HFEMF导致环形培养板的中孔和外孔中的细胞的MN频率有统计学上显着的增加。在研究（3）中，细胞的 MN 频率环形培养板的中间孔（100 W/kg）和外孔（78 W/kg）在统计学上高于单独用博来霉素处理引起的。在研究 (4) 中，经 39°C 热处理的细胞中，MN 频率出现统计学上显着增加。这些结果表明，暴露于 78 W/kg 及更高 SAR 的 HFEMF 下的细胞形成 MN 的频率高于假暴露细胞，而暴露于高达 50 W/kg 的 HFEMF 不会诱导 MN 形成。此外，SAR 为 78 W/kg 或更高的 HFEMF 可能会增强博莱霉素治疗诱导的 MN 形成。