文章发布状态：免费摘要标题：
由于母亲暴露于电磁场，牙科汞合金填充物中汞的释放增加是后代自闭症高发率的可能机制：引入一个假设。
摘要来源：J Biomed Phys Eng。 2016 年 3 月；6(1):41-6。 Epub 2016 年 3 月 1 日。PMID：27026954
摘要作者：Gh Mortazavi、M Haghani、N Rastegarian、S Zarei、S M J Mortazavi
文章隶属关系：Gh Mortazavi
摘要：根据世界卫生组织 (WHO) 认为，不断增长的电力需求、不断进步的技术和社会行为的变化等因素导致人造电磁场的接触量稳步增加。 牙科汞合金填充物是主要来源之一普通人群接触元素汞蒸气的情况。尽管以前人们认为低含量的汞（例如牙科用汞合金释放的汞）并不危险，但现在大量数据表明，即使非常低剂量的汞也会引起毒性。有一些证据表明，围产期接触汞与自闭症谱系障碍 (ASD) 和注意力缺陷多动障碍 (ADHD) 等发育障碍的风险增加显着相关。此外，汞还会降低大脑中神经递质多巴胺、血清素、去甲肾上腺素和乙酰胆碱的水平，并导致神经系统问题。另一方面，一些研究发现母体和脐带血汞水平之间存在很强的正相关性。我们之前已经表明，暴露于 MRI 或普通手机发出的微波辐射会导致牙科汞合金填充物中汞的释放增加。此外，当我们投资阐明了具有更强磁场的 MRI 机器的影响，我们之前的发现得到了证实。由于我们之前的研究发现暴露于电磁场与汞含量之间存在密切关联，因此我们的研究结果可以使我们得出这样的结论：使用牙科汞合金填充物的母亲暴露于电磁场可能会导致汞含量升高并引发汞含量增加。自闭症率。需要进一步的研究来更好地了解暴露于电磁场后汞含量增加的可能作用以及后代自闭症谱系障碍的发生率。