585 nm 发光二极管通过旁分泌作用上调 LED 照射的角质形成细胞中的 H19/miR-675 轴，从而抑制黑素生成。
摘要来源：J Dermatol Sci。 2020 年 5 月；98(2):102-108。 Epub 2020 年 3 月 10 日。PMID：32278532
摘要作者：金尚林、陈力、徐忠义、邢晓雪、张成峰、雷红向
文章来源：金尚林
摘要：背景：585 nm发光二极管已被已被证明可以抑制黑色素细胞中的黑色素生成。然而，LED 是否会影响正常人表皮角质形成细胞 (NHEK) 以及 LED 照射的 NHEK 在黑色素生成中的旁分泌作用仍不清楚。
目的：阐明 585 nm LED 在 parac 上抗黑色素生成活性的可能体外机制NHEKs及其外泌体的作用。
方法：用不同能量密度的585 nm LED照射NHEKs，评估细胞活力通过CCK8测定。经辐照的 NHEK 培养基与黑素细胞共培养。检测黑色素含量、酪氨酸酶活性和黑素生成酶活性。通过电子显微镜和纳米颗粒跟踪分析分离并表征来自 NHEK 培养基的外泌体。分析H19及其编码的外泌体miR-675的表达变化。
结果：从0°开始用585 nm LED照射J/cm至20 J/cm对NHEK没有细胞毒性作用。 NHEKs与辐照培养基共培养后，黑色素含量和酪氨酸酶活性降低，小眼相关转录因子（MITF）、酪氨酸酶（TYR）和酪氨酸酶相关蛋白的mRNA和蛋白水平均下调黑色素生成活性1（TRP-1）。 H19 及其源自 NHEK 的外泌体 miR-675 已被证明与黑素生成相关，在辐射后显着上调。此外，NHEK 中的 H19 敲除和 miR-675 抑制可以减弱 585 nm LED 对黑色素生成的抑制作用。
结论：这项研究表明，585 nm LED 可以通过上调 H19 及其衍生的外泌体来抑制黑色素生成NHEKs 中的 miR-675，被认为是调节黑色素生成的新型旁分泌因子。