摘要标题：
暴露于 1800 MHz 射频辐射会导致原代培养神经元中线粒体 DNA 发生氧化损伤。
摘要来源：Brain Res。 2010 年 1 月 22 日；1311：189-96。 Epub 2009 年 10 月 30 日。PMID：19879861
摘要作者：徐商城、周舟、张雷、于正平、张伟、王远、王旭步、李茂全，陈阳，陈春海，何敏迪，张广斌，钟敏
文章归属：徐尚成
摘要：越来越多的证据表明氧化应激可能与不良反应有关射频 (RF) 辐射对大脑的影响。由于线粒体DNA（mtDNA）缺陷与各种神经系统疾病密切相关，并且mtDNA特别容易受到氧化应激，因此本研究的目的是确定射频辐射是否会对mtDNA造成氧化损伤。在这项研究中，我们将原代培养的皮层神经元暴露于脉冲射频电磁场，频率为 1800 MHz，调制频率为 217 Hz，平均特殊吸收率 (SAR) 为 2 W/kg。暴露后 24 小时，我们发现射频辐射诱导神经元线粒体中 8-羟基鸟嘌呤 (8-OHdG) 的水平显着增加，8-羟基鸟嘌呤 (8-OHdG) 是 DNA 氧化损伤的常见生物标志物。与这一发现相伴随的是，在射频暴露后，mtDNA 的拷贝数和线粒体 RNA (mtRNA) 转录物的水平显示出明显的降低。这些 mtDNA 紊乱中的每一种都可以通过褪黑激素预处理来逆转，褪黑激素是大脑中一种有效的抗氧化剂。总之，这些结果表明 1800 MHz 射频辐射可能会对原代培养的神经元中的线粒体 DNA 造成氧化损伤。线粒体 DNA 的氧化损伤可能是射频辐射对大脑产生神经毒性的原因。